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Intel發現全新複合矽晶技術 功耗可望降90% 將用於處理器生產上

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Intel 對外透露全新的物料 P Channel 及 N-Channel 電晶體組合，可以協助處理器減低所需功耗，未來的處理器的耗電量甚至可以是現時處理器的十分之一，效能可望進一步提升，系統體積亦可進一步縮少。

在 Intel 最新的研究報告中透露了有關 P-Channel Transistor 的資料，這是一種複合半導體，也稱為 III-V 物料，因為它就是矽晶體週期表的列於第四週期表中，據研究指出它擁有極高的效率及極低電阻表現，而 Intel 早前於透露了採用 III-V 物料的 N-Channel Tranistsor ，同樣將會使用在處理器制程技術上。

據 Intel 指出，當 P-Channel Transistor 及 N-Channel Transistor 複合應用後，所制造出的 CMOS 邏輯晶片比傳統物料可減低一半的電壓，而且功耗更可降低至口金只有十分之一。此研發創新技術將會用於處理器量產用，將可令處理器效率進一步提高，容許更複雜的設計及減低了因功耗而出現的散熱問題，系統體積亦可進一步縮少。

當前， Intel 已開始進行上述質材的量產可能性，希望可以在未來數年內實現創新。

又会是一次大型电脑升级！:teeth

发展的太快了

估计未来N年内吧，理论和现实差距就是大的

也忘记是哪年了，说是电池充电大约在几分钟之内就可以搞定的，到现在也没有见量产，还有一个电池容量翻倍的，也没有消息了