据国外媒体报道，周三，韩国政府宣布，已经批准三星电子在中国建设一座闪存芯片工厂。这家工厂计划投资40亿美元，是三星在海外的第二座芯片工厂。工厂将使用20纳米或以下半导体生产工艺，大规模的量产将会在在2013年启动，该工厂每月处理的晶圆个数将达到十万个。据报道，三星电子目前尚未确定工厂的选址。

　　根据韩国政府规定，本国企业要在海外设立高科技生产基地，必须向政府提交申请，以避免高端技术的外泄。韩国知识和经济部官员周三表示，三星电子将会成立一个委员会，专门防止中国工厂闪存芯片技术被泄露。

　　三星是全世界最大的NAND闪存芯片制造商，占据了全球四成的市场份额。其竞争对手主要包括日本东芝、韩国海力士半导体，以及美国美光科技公司。

　　根据IT研究机构Gartner公司的报告，今年，中国的NAND闪存消耗量将占到全球一半，金额达到290亿美元，到2015年，中国的消耗份额还将攀升到55%。

　　随着华为科技、中兴通讯等中国企业逐渐提升在全球智能手机、平板电脑领域的市场份额，中国厂商对于NAND闪存的需求也出现了快速增长。

是三星太疯狂，还是太有超前眼光呢？

以后的机械式硬盘会很快被固态硬盘取代，三星这么做，的确很有魄力！

三星的闪存确实多，以前买的很多数码产品都用的三星的闪存，三星作为底层配件供应商生产的东西还是可以的

好事情啊 价格又可以进一步下降了 慢慢的又可以把技术传给中国 以后就更便宜了 期待

现在我用的是三星黑武士，DDR3 1600 30nm工艺的条子，体质真的是没的说，上2133毫无压力，时序调节也不敏感。

不知道会不会富士康一样！~~: